Samsung SSD MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCIe SSD – Augstas Veiktspējas PCIe 4.0 Atmiņas Risinājums
Samsung MZ-V9S2T0 ir 2 TB M.2 formāta SSD disks, kas piedāvā izcilu ātrumu, uzticamību un energoefektivitāti. Izmantojot PCIe Gen 4.0 tehnoloģiju, šis SSD nodrošina līdz pat 7 000 MB/s lasīšanas un 5 100 MB/s rakstīšanasātrumu – ideāli piemērots spēlētājiem, satura veidotājiem un profesionāļiem, kuri strādā ar lieliem failiem vai resursietilpīgām programmām.
Galvenās iezīmes:
- 2 TB ietilpība – Pietiek vietas spēlēm, lietotnēm un multivides saturam
- PCIe 4.0 x4 interfeiss (NVMe) – Ātrāka datu pārsūtīšana salīdzinājumā ar iepriekšējām paaudzēm
- Līdz 7 000 MB/s lasīšanas ātrums, līdz 5 100 MB/s rakstīšanas ātrums
- Samsung V-NAND tehnoloģija – Uzlabota veiktspēja un ilgāks kalpošanas laiks
- Dynamic Thermal Guard – Aizsardzība pret pārkaršanu, uzturot nemainīgu veiktspēju
- 5 gadu ierobežotā garantija – Drošība un uzticamība ilgtermiņā
- M.2 2280 formāts – Saderīgs ar modernām mātesplatēm, klēpjdatoriem un spēļu sistēmām
Samsung MZ-V9S2T0 2TB SSD ir ideāls risinājums tiem, kas vēlas uzlabot sava datora veiktspēju un nodrošināt ātru un uzticamu datu piekļuvi visprasīgākajos uzdevumos.
Samsung SSD MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express
Technical specification
Storage Capacity: 2 TB
• Form Factor: M.2 2280
• Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.4
• Sequential Read Speed: Up to 7,000 MB/s
• Sequential Write Speed: Up to 5,100 MB/s
• NAND Type: V-NAND (3D NAND)
• Endurance (TBW): 1,200 TBW (Terabytes Written)
• MTBF (Mean Time Between Failures): 1.5 million hours
• Operating Temperature: 0°C to 70°C
• Storage Temperature: -40°C to 85°C
• Power Consumption (Active): 5.1 W (Typical)
• Power Consumption (Idle): 0.3 W (Typical)
• Heatsink: No built-in heatsink
• Shock Resistance: 1,500 G @ 0.5 ms half sine wave
• Warranty: 5-year limited warranty
• Compatibility:
• Windows 10/11 (64-bit)
• PS5 and other devices with PCIe Gen 4.0 or PCIe Gen 3.0 support
Shipping weight
0.007 kg
EAN
8806095575650
